-
Получение наноразмерных гетероструктур GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии для квантового каскадного лазера
Мармалюк, А. А., Ладугин, М. А., Горлачук, П. В., Яроцкая, И. В., Андреев, А. Ю., Багаев, Т. А., Сапожников, С. М., Данилов, А. И., Симаков, В. А., Засавицкий, И. И.
Получение наноразмерных гетероструктур GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии для квантового каскадного лазера, [[Текст]], А. А. Мармалюк [и др.]
4 рис.
// Неорганические материалы .-
2017 .-
Т. 53, № 9. - С. 909-913 .-
-
Твердый раствор Pb[1-x]Eu[x] Te (0 < x < 1) - материал для вертикально-излучающих лазеров в средней инфракрасной области спектра 4-5 мкм
Пашкеев, Д. А., Селиванов, Ю. Г., Чижевский, Е. Г., Засавицкий, И. И.
Твердый раствор Pb[1-x]Eu[x] Te (0 < x < 1) - материал для вертикально-излучающих лазеров в средней инфракрасной области спектра 4-5 мкм , [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 229-235 .-
Пашкеев_твердый
-
Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников
Маремьянин, К. В., Иконников, А. В., Бовкун, Л. С., Румянцев, В. В., Чижевский, Е. Г., Засавицкий, И. И., Гавриленко, В. И.
Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 12. - С. 1486-1490 .-
Маремьянин_терагерцовые
-
Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5мкм
Маремьянин, К. В., Румянцев, В. В., Иконников, А. В., Бовкун, Л. С., Чижевский, Е. Г., Засавицкий, И. И., Гавриленко, В. И.
Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5мкм, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1697-1700 .-
Маремьянин_терагерцовые
