-
Адгезия стекла Ge[20]Se[80] к кварцевому стеклу, нержавеющей стали с азотированной и неазотированной поверхностью и карбиду вольфрама
Мишинов, С. В., Вельмужов, А. П., Степанов, Б. С., Степанов, А. С., Благин, Р. Д.
Адгезия стекла Ge[20]Se[80] к кварцевому стеклу, нержавеющей стали с азотированной и неазотированной поверхностью и карбиду вольфрама, С. В. Мишинов, А. П. Вельмужов, Б. С. Степанов [и др.]
7 рис.
// Стекло и керамика .-
2024 .-
№ 4. - С. 3-10 .-
-
Получение эпитаксиальных слоев легированного мышьяком теллурида кадмия MOCVD-методом
Чилясов, А. В., Моисеев, А. Н., Евстигнеев, В. С., Степанов, Б. С., Дроздов, М. Н.
Получение эпитаксиальных слоев легированного мышьяком теллурида кадмия MOCVD-методом, [Текст]
ил.
Неорганические материалы, 2016, Т. 52, № 12. - С. 1284-1289
-
Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg[1-x]Cd[x]Te p-типа проводимости с x ~~ 0.4, выращенных методом MOCVD
Евстигнеев, В. С., Варавин, В. С., Чилясов, А. В., Ремесник, В. Г., Моисеев, А. Н., Степанов, Б. С.
Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg[1-x]Cd[x]Te p-типа проводимости с x ~~ 0.4, выращенных методом MOCVD , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 554-559
Евстигнеев_электрофизические
