Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg[1-x]Cd[x]Te p-типа проводимости с x ~~ 0.4, выращенных методом MOCVD
Евстигнеев, В. С., Варавин, В. С., Чилясов, А. В., Ремесник, В. Г., Моисеев, А. Н., Степанов, Б. С.
Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg[1-x]Cd[x]Te p-типа проводимости с x ~~ 0.4, выращенных методом MOCVD , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 554-559
Евстигнеев_электрофизические