-
Революция в области полупроводников в XX веке
Алферов, Ж. И.
Революция в области полупроводников в XX веке, [Текст]
ил.
Успехи химии, 2013, Т. 82, № 7. - С. 587-596
-
Нет ничего лучше, чем быть академиком и завлабом"
Алферов, Ж. И., Домрина, Н.
фот.
Повтор ст.: Алферов Ж. России без собственной электроники не обойтись // Наука и жизнь. - 2001. - № 4 .-
// Наука и жизнь .-
2019 .-
№ 4. - С. 8-14 .-
-
Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
Хабибуллин, Р. А., Пономарёв, Д. С., Алферов, Ж. И., Клочков, А. Н. , Пономарев, Д. С., Мальцев, П. П. , Зайцев, А. А., Зубов, Ф. И., Жуков, А. Е. , Цырлин, Г. Э.
Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 4. - С. 540-546 .-
Хабибуллин_энергетический
-
Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
Жуков, А. Е. , Алферов, Ж. И., Цырлин, Г. Э., Резник, Р. Р., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Калитеевский, М. А. , Иванов, К. А., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В.
Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 5. - С. 674-678 .-
Жуков_многослойные
-
Об одной особенности инжекции в гетеропереходах
Алфёров, Ж. И. , Алферов, Ж. И., Халфин, В. Б., Казаринов, Р. Ф.
Об одной особенности инжекции в гетеропереходах, [Электронный ресурс]
ил.
Физика твердого тела, 2019, Т. 61, вып. 8
Алфёров_об одной особенности
-
Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
Хабибуллин, Р. А., Пономарёв, Д. С., Алферов, Ж. И., Павлов, А. Ю., Пономарев, Д. С., Томош, К. Н., Мальцев, П. П. , Жуков, А. Е. , Цырлин, Г. Э., Зубов, Ф. И.
Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs, [Электронный ресурс]
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1395-1400 .-
Хабибуллин_изготовление
