Поиск

Особенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом Silar

Авторы: Галковский, Т. В. Богомазова, Н. В. Жарский, И. М.
Местонахождение Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/615294824
Дата корректировки 8:09:13 8 февраля 2023 г.
Служба первич. каталог. Шайковская
БГТУ
БГТУ
БГТУ
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 539.23:546.814
Автор Галковский, Т. В.
Полное имя Т. В. Галковский
Особенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом Silar
Текст
ил.
Место издания Минск
Издательство БГТУ
Дата издания 2019
Библиография Библиогр.: 2 назв.
Ключевые слова пленочные структуры
сульфиды олова
метод Silar
тонкие пленки
фотовольтаические материалы
метод ионного наслаивания
Другие авторы Богомазова, Н. В.
Полное имя Н. В. Богомазова
Жарский, И. М.
Организация/ юрисдикция Белорусский государственный технологический университет
Минск : БГТУ, 2019
С. 301-304
Современные электрохимические технологии и оборудование - 2019
RU/IS/BASE/611833540
978-985-530-767-0
Тип документа b