Индекс УДК | 539.23:546.814 |
Автор | Галковский, Т. В. |
Особенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом Silar Текст ил. |
|
Место издания | Минск |
Издательство | БГТУ |
Дата издания | 2019 |
Ключевые слова | пленочные структуры |
Другие авторы | Богомазова, Н. В. |
Минск : БГТУ, 2019 С. 301-304 Современные электрохимические технологии и оборудование - 2019 RU/IS/BASE/611833540 978-985-530-767-0 |