Поиск

Особенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом Silar

Авторы: Галковский, Т. В. Богомазова, Н. В. Жарский, И. М.
Местонахождение Подробная информация
Индекс УДК 539.23:546.814
Автор Галковский, Т. В.
Особенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом Silar
Текст
ил.
Место издания Минск
Издательство БГТУ
Дата издания 2019
Ключевые слова пленочные структуры
Другие авторы Богомазова, Н. В.
Минск : БГТУ, 2019
С. 301-304
Современные электрохимические технологии и оборудование - 2019
RU/IS/BASE/611833540
978-985-530-767-0