| Индекс УДК | 539.23:546.814 |
| Автор | Галковский, Т. В. |
|
Особенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом Silar Текст ил. |
|
| Место издания | Минск |
| Издательство | БГТУ |
| Дата издания оригинала | 2019 |
| Ключевые слова | пленочные структуры |
| Другие авторы | Богомазова, Н. В. |
|
Минск : БГТУ, 2019 С. 301-304 Современные электрохимические технологии и оборудование - 2019 RU/IS/BASE/611833540 978-985-530-767-0 |
