-
Исследование сегнетомагнетика в квазибинарной системе Ва0.999Се0.001Ti0.9Sn0.1O3-Lа0.75Sr0.25-MnO3
Башкиров, Л. А., Чеботарь, О. А., Жарский, И. М., Шишкин, Н. Я., Петров, Г. С., Некрашевич, Е. М., Соловых, Т. К., Акимов, А. И.
Исследование сегнетомагнетика в квазибинарной системе Ва0.999Се0.001Ti0.9Sn0.1O3-Lа0.75Sr0.25-MnO3
Неорганические материалы, 2002, Т. 38, № 4. - С. 493-497
-
Изучение рабочих элементов на основе композита La0,6Pb0,4MnO3 - WO3 для полупроводниковых газовых сенсоров
Богомазова, Н. В., Клюкач, А. В., Шишкин, Н. Я.
Изучение рабочих элементов на основе композита La0,6Pb0,4MnO3 - WO3 для полупроводниковых газовых сенсоров, [Текст]
Ил.4
-
Влияние оксида азота на позисторный эффект полупроводниковых твердых растворов системы ВаТiO3-ВаSnO3
Чеботарь, О. А., Башкиров, Л. А., Шишкин, Н. Я.
Влияние оксида азота на позисторный эффект полупроводниковых твердых растворов системы ВаТiO3-ВаSnO3
Весці НАН Беларусi. Сер. хiмічных навук, 2001, № 2. - С. 28-32
-
Кинетические свойства кристаллов граната Y3Fe5O12
Ломако, И. Д., Павлов, В. И., Шишкин, Н. Я.
Кинетические свойства кристаллов граната Y3Fe5O12
Кристаллография, 2003, Т. 48, № 1. - С. 121-129
-
Air Sensitive Tin Dioxide Thin Films By Magnetron Sputtering & Thermal Oxidation Technigue
Shishkin, N. Y., Шишкин, Н. Я., Жарский, И. М., Лугин, В. Г., Зарапин, В. Г., Zharsky, I. M., Lugin, V. G., Zarapin, V. G.
Air Sensitive Tin Dioxide Thin Films By Magnetron Sputtering & Thermal Oxidation Technigue, Text
Warsaw :
Warsaw University of Technology ,
1997 .-
EUROSENSORS XI, Warsaw : Warsaw University of Technology, 1997, P. 479-480, RU/IS/BASE/356781825
-
Электрические и магнитные свойства сегнетомагнетика квазидвойной системы La0,75Sr0,25Mn03-Ba0,999Ce0,001Ti0,9Sn0,1O3
Башкиров, Л. А., Чеботарь, О. А., Жарский, И. М., Шишкин, Н. Я., Петров, Г. С., Некрашевич, Е. М., Соловых, Т. К., Акимов, А. И.
Электрические и магнитные свойства сегнетомагнетика квазидвойной системы La0,75Sr0,25Mn03-Ba0,999Ce0,001Ti0,9Sn0,1O3
Рис.4
Труды Белорусского государственного технологического университета. Серия 3. Химия и технология неорганических веществ , 2001, Вып. 9. - С. 7-12
-
Фазовый состав, электрические и магнитные свойства композитного материала на основе квазидвойной системы La0,75Sr0,25Mn03-Ba0,9Pb0,1Ti1-xWx03
Башкиров, Л. А., Чеботарь, О. А., Курбачев, О. И., Петров, Г. С., Жарский, И. М., Шишкин, Н. Я., Некрашевич, Е. М.
Фазовый состав, электрические и магнитные свойства композитного материала на основе квазидвойной системы La0,75Sr0,25Mn03-Ba0,9Pb0,1Ti1-xWx03
Рис.4
Труды Белорусского государственного технологического университета. Серия 3. Химия и технология неорганических веществ , 2001, Вып. 9. - С. 13-19
-
Окисление тонких пленок вольфрама, меди, олова на воздухе
Шишкин, Н. Я., Башкиров, Л. А., Жарский, И. М., Черкасов, В. А., Косов, Д. В., Чеботарь, О. А.
Окисление тонких пленок вольфрама, меди, олова на воздухе
Труды Белорусского государственного технологического университета. Серия 3. Химия и технология неорганических веществ , 2001, Вып. 9. - С. 93-98
-
Получение тонких пленок на основе оксида вольфрама и исследование возможности их использования в качестве чувствительных слоев в газовых сенсорах
Шишкин, Н. Я., Косов, Д. В., Черкасов, В. А., Шафранский, С. Н., Жарский, И. М.
Получение тонких пленок на основе оксида вольфрама и исследование возможности их использования в качестве чувствительных слоев в газовых сенсорах
Рис.3, Табл.1
Труды Белорусского государственного технологического университета. Серия 3. Химия и технология неорганических веществ , 2001, Вып. 9. - С. 99-102
-
Корректный элементарный вывод уравнений Вагнера для переноса частиц в кристаллах по активационному и безактивационному механизму
Шишкин, Н. Я., Черкасов, В. А., Косов, Д. В.
Корректный элементарный вывод уравнений Вагнера для переноса частиц в кристаллах по активационному и безактивационному механизму
Труды Белорусского государственного технологического университета. Серия 3. Химия и технология неорганических веществ , 2001, Вып. 9. - С. 102-106
-
Термо-ЭДС и проводимость тонких пленок на основе оксида вольфрама в атмосфере с примесями СО и этилового спирта
Шишкин, Н. Я., Жарский, И. М., Черкасов, В. А.
Термо-ЭДС и проводимость тонких пленок на основе оксида вольфрама в атмосфере с примесями СО и этилового спирта
Табл. 1
Труды Белорусского государственного технологического университета. Серия 3. Химия и технология неорганических веществ , 2000, Вып. 8. - С. 79-90
-
Взаимодействие оксида углерода и диоксида азота с тонкими пленками на основе диоксида олова
Шишкин, Н. Я., Жарский, И. М.
Взаимодействие оксида углерода и диоксида азота с тонкими пленками на основе диоксида олова
Весці НАН Беларусі. Сер. хімічных навук , 1999, № 4. - С. 19-23
-
Сенсорные свойства полупроводникового титана бария с позисторным эффектом
Башкиров, Л. А., Шишкин, Н. Я., Чеботарь, О. А., Курбачев, О. И., Жарский, И. М.
Сенсорные свойства полупроводникового титана бария с позисторным эффектом
Весці НАН Беларусі. Сер. хімічных навук, 1999, № 1. - С. 43-47
-
Об использовании полупроводникового титана бария для создания химического сенсора газов и новых сегнетомагнетиков
Башкиров, Л. А., Чеботарь, О. А., Жарский, И. М., Шишкин, Н. Я., Петров, Г. С.
Об использовании полупроводникового титана бария для создания химического сенсора газов и новых сегнетомагнетиков, [Текст]
Минск :
БГПУ ,
2004 .-
ил
Сегнетоэлектрические материалы, Минск : БГПУ, 2004, С.9-17, RU/IS/BASE/605183025, 985-435-770-8
-
Химические сенсорные датчики с чувствительным слоем на основе оксида ванадия (V)
Комаров, А. А., Шишкин, Н. Я., Черкасов, В. А.
Химические сенсорные датчики с чувствительным слоем на основе оксида ванадия (V), Текст, БГТУ
Рис. 1
Ресурсо- и энергосберегающие технологии и оборудование, экологически безопасные технологии : материалы Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2005 года, Минск, 2005, Ч. 1. - С. 174-176
-
Использование полупроводниковых материалов с фазовым переходом как сенсоров на органические пары
Шишкин, Н. Я., Комаров, А. А., Башкиров, Л. А., Черкасов, В. А., Богомазова, Н. В.
Использование полупроводниковых материалов с фазовым переходом как сенсоров на органические пары , БГТУ
Новейшие достижения в области импортозамещения в химической промышленности и производстве строительных материалов : материалы Международной научно-технической конференции, 26-28 ноября 2003 г., Минск, 2003, С. 325-328
-
Перспективные материалы для полупроводниковых твердотельных сенсоров
Шишкин, Н. Я., Комаров, А. А., Башкиров, Л. А., Черкасов, В. А.
Перспективные материалы для полупроводниковых твердотельных сенсоров, М-во образования РБ; БГТУ
Новейшие достижения в области импортозамещения в химической промышленности и производстве строительных материалов : материалы Международной научно-технической конференции, 26-28 ноября 2003 г., Минск, 2003, С. 328-329
-
Образование твердых растворов в двойной системе диоксидов олова и титана
Чеботарь, О. А., Башкиров, Л. А., Шишкин, Н. Я.
Образование твердых растворов в двойной системе диоксидов олова и титана, М-во общ. и проф.образования РФ; РАН; УрГЭУ
Оксиды. Физико-химические свойства и технология : тезисы докладов Всероссийской научно-практической конференции, 27-31 января 1998 г., Екатеринбург, 1998, С. 180-183
-
Технологические и функциональные аспекты разработки твердотельных газовых сенсоров термоэлектрического типа
Лугин, В. Г., Зарапин, В. Г., Жарский, И. М., Шишкин, Н. Я.
Технологические и функциональные аспекты разработки твердотельных газовых сенсоров термоэлектрического типа, БГТУ
Разработка импортозамещающих технологий и материалов в химико-лесном комплексе : материалы международной научно-технической конференции, 27-28 октября 1997 г., Минск, 1997, С. 180-182
-
Особенности технологии и функционирования металлоксидных сенсорных датчиков на подложках нового типа
Зарапин, В. Г., Лугин, В. Г., Жарский, И. М., Шишкин, Н. Я.
Особенности технологии и функционирования металлоксидных сенсорных датчиков на подложках нового типа, БГТУ
Разработка импортозамещающих технологий и материалов в химико-лесном комплексе : материалы международной научно-технической конференции, 27-28 октября 1997 г., Минск, 1997, С. 174-176