-
Двухчастотные холловские измерения в высокоомном кремнии
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Двухчастотные холловские измерения в высокоомном кремнии, [Текст], Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика
ил.
Труды Белорусского государственного технологического университета. Серия 6. Физико-математические науки и информатика, 2010, Вып. XVIII. - С. 99-102
-
Холловские измерения в кремнии методом частотного сканирования
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Холловские измерения в кремнии методом частотного сканирования, [Текст]
Минск :
БГТУ ,
2011 .-
ил.
Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2011, № 6 (144). - С. 71-73, RU/IS/BASE/360775065, 1683-0377
-
Применение эффектов магнитоплазменного отражения и магнитного вращения для определения электронных характеристик полупроводников
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Применение эффектов магнитоплазменного отражения и магнитного вращения для определения электронных характеристик полупроводников, [Текст]
Минск :
БГТУ ,
2022 .-
ил.
Труды БГТУ. Сер. 3, Физико-математические науки и информатика, 2022, № 2 (260). - С. 65-69, RU/IS/BASE/718532206, [ко всему сборнику] Издается с июля 1993 года, 2520-6141
-
Применение интерферометрии сантиметрового диапазона для диагностики высокоомных полупроводниковых материалов
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Применение интерферометрии сантиметрового диапазона для диагностики высокоомных полупроводниковых материалов, [Текст], БГТУ, кафедра физики
Международная научно-техническая конференция "Автоматический контроль и автоматизация производственных процессов" : материалы конференции, Минск, 28-29 октября 2009 г., Минск, 2009, С. 127-129
-
Исследование релаксационных свойств полупроводников с помощью интерферометрии миллиметрового диапазона
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Исследование релаксационных свойств полупроводников с помощью интерферометрии миллиметрового диапазона, [Текст]
Минск :
БГТУ ,
2013 .-
Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2013, С. 54-56, RU/IS/BASE/436093064
-
СВЧ-диагностика полупроводников на основе кинетической модели переноса носителей заряда
Мадьяров, Владимир Рафкатович
СВЧ-диагностика полупроводников на основе кинетической модели переноса носителей заряда, [Текст]
Минск :
БГТУ ,
2014 .-
ил.
Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2014, С. 71-73, RU/IS/BASE/469633091, [ко всему сборнику] Издается с июля 1993 года, 1683-0377
-
Бесконтактные измерения электрических параметров полупроводников в СВЧ-диапазоне
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Бесконтактные измерения электрических параметров полупроводников в СВЧ-диапазоне, [Электронный ресурс]
Минск :
БГТУ ,
2017 .-
Физико-математические науки, Минск : БГТУ, 2017, С. 13, RU/IS/BASE/549542104
-
СВЧ-диагностика полупроводников на основе кинетической модели переноса носителей заряда
Мадьяров, Владимир Рафкатович
СВЧ-диагностика полупроводников на основе кинетической модели переноса носителей заряда, [Электронный ресурс], БГТУ
Минск :
БГТУ ,
2014 .-
Физико-математические науки, Минск : БГТУ, 2014, С. 18, RU/IS/BASE/452345381
-
Исследование проводимости полупроводниковых материалов по частотным характеристикам пропускания СВЧ-волн
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Исследование проводимости полупроводниковых материалов по частотным характеристикам пропускания СВЧ-волн, БГТУ, [Текст]
Минск :
БГТУ ,
2015 .-
ил.
Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2015, С. 92-96, RU/IS/BASE/499166419, [ко всему сборнику] Издается с июля 1993 года, 1683-0377
-
Измерение параметров электронного переноса в полупроводниках с помощью эффекта Фарадея в миллиметровом диапазоне
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Измерение параметров электронного переноса в полупроводниках с помощью эффекта Фарадея в миллиметровом диапазоне, [Текст]
Минск :
БГТУ ,
2016 .-
ил., табл.
Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2016, С. 101-105, RU/IS/BASE/532010438, [ко всему сборнику] Издается с июля 1993 года, 1683-0377
-
Определение электрических параметров полупроводников в СВЧ-измерениях на основе кинетической модели переноса носителей заряда
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Определение электрических параметров полупроводников в СВЧ-измерениях на основе кинетической модели переноса носителей заряда, [Текст]
Минск :
БГТУ ,
2015 .-
ил.
Автоматический контроль и автоматизация производственных процессов, Минск : БГТУ, 2015, С. 257-260, RU/IS/BASE/499792247, 978-985-530-496-9
-
Сопоставление чувствительности магнитооптических систем диагностики полупроводников
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Сопоставление чувствительности магнитооптических систем диагностики полупроводников, [Текст]
Минск :
БГТУ ,
2018 .-
ил.
Автоматический контроль и автоматизация производственных процессов, Минск : БГТУ, 2018, С. 196-199, RU/IS/BASE/593178069, 978-985-530-710-6
-
Применение эффектов вращения плоскости поляризации и магнитоплазменного отражения для определения параметров электронного переноса в полупроводниках
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Применение эффектов вращения плоскости поляризации и магнитоплазменного отражения для определения параметров электронного переноса в полупроводниках, [Текст]
Минск :
БГТУ ,
2018 .-
ил.
Труды БГТУ. Сер. 3, Физико-математические науки и информатика, 2018, № 2 (212). - С. 52-56, RU/IS/BASE/593693918, [ко всему сборнику] Издается с июля 1993 года, 2520-6141
-
Определение кинетических параметров полупроводниковых материалов с помощью СВЧ-интерферометрии
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Определение кинетических параметров полупроводниковых материалов с помощью СВЧ-интерферометрии, [Текст], БГТУ
Минск :
БГТУ ,
2014 .-
ил.
Ресурсо- и энергосберегающие технологии и оборудование, экологически безопасные технологии, Минск : БГТУ, 2014, Ч. 2. - С. 206-209, RU/IS/BASE/475153740
-
Определение параметров электронного переноса в полупроводниках с помощью эффекта магнитного вращения в СВЧ-диапазоне
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Определение параметров электронного переноса в полупроводниках с помощью эффекта магнитного вращения в СВЧ-диапазоне, [Электронный ресурс]
Минск :
БГТУ ,
2016 .-
Физико-математические науки, Минск : БГТУ, 2016, С. 22, RU/IS/BASE/512560010
-
Бесконтактные измерения электрических параметров полупроводников в СВЧ-диапазоне
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Бесконтактные измерения электрических параметров полупроводников в СВЧ-диапазоне, [Текст]
Минск :
БГТУ ,
2017 .-
ил.
Труды БГТУ. Сер. 3, Физико-математические науки и информатика, RU/IS/BASE/563640646, Минск : БГТУ, 2017, [ко всему сборнику] Издается с июля 1993 года, 2520-6141, № 2 (200). - С. 71-75
-
Влияние магнитоплазменных эффектов на прохождение субмиллиметровых волн через полупроводники
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Влияние магнитоплазменных эффектов на прохождение субмиллиметровых волн через полупроводники, [Текст]
Минск :
БГТУ ,
2021 .-
ил.
Труды БГТУ. Сер. 3, Физико-математические науки и информатика, 2021, № 2 (248). - С. 53-57, RU/IS/BASE/688742644, [ко всему сборнику] Издается с июля 1993 года, 2520-6141
-
Измерение проводимости кремния с помощью частотных характеристик пропускания миллиметровых волн
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Измерение проводимости кремния с помощью частотных характеристик пропускания миллиметровых волн, [Текст]
Минск :
БГТУ ,
2023 .-
ил.
Труды БГТУ. Сер. 3, Физико-математические науки и информатика, 2023, № 2 (272). - С. 53-57, RU/IS/BASE/751455736, [ко всему сборнику] Издается с июля 1993 года, 2520-6141
-
Применение эффекта магнитоплазменного отражения для определения электронных характеристик полупроводников
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Применение эффекта магнитоплазменного отражения для определения электронных характеристик полупроводников, [Электронный ресурс]
Минск :
БГТУ ,
2022 .-
ил.
RU/IS/BASE/703591352, Информационные технологии, Минск : БГТУ, 2022, 978-985-530-997-1, С. 199-202
-
Определение времени релаксации носителей заряда в полупроводниках с помощью частотных характеристик фазового сдвига зондирующего излучения
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Определение времени релаксации носителей заряда в полупроводниках с помощью частотных характеристик фазового сдвига зондирующего излучения, [Электронный ресурс]
Минск :
БГТУ ,
Физико-математические науки, Минск : БГТУ, 2019, С. 12, RU/IS/BASE/605609048
