| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/613060563 |
| Дата корректировки | 15:30:26 16 апреля 2025 г. |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Служба первич. каталог. | BY-HM0026 |
| Код языка издания | rus |
| Каталогизатор |
Данильченко Вахрушева |
| Индекс УДК | 661.68:620.18 |
| Автор | Колесникова, Е. В. |
| Разработка метода получения нанокристаллов кремния в аморфных SiO[2] и SiO[x]N[y] электронным зондом высокой удельной мощности для элементов FLASH-памяти | |
| Место издания | Москва |
| Издательство | [РОСНАНО] |
| Дата издания оригинала | 2008 |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил |
| Библиография | Библиогр.:3 назв |
| Ключевые слова | нанокристаллы кремния |
|
электронный зонд FLASH-память память нанокристаллическая |
|
| Другие авторы | Заморянская, М. В. |
|
Ситникова, А. А. Соколов, В. И. |
|
| Организация/ юрисдикция | УРАН ФТИ им. Иоффе РАН |
|
Rusnanotech'08 Москва : [РОСНАНО], 2008 С.193-194 RU/IS/BASE/605185555 |
|
| Тип документа | b |
