Исследования особенностей наноразмерных гетероструктур GaN и AlGaN, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках с использованием буферного слоя пористого кремния
Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Середин, П. В., Мизеров, А. М.
Исследования особенностей наноразмерных гетероструктур GaN и AlGaN, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках с использованием буферного слоя пористого кремния, [Электронный ресурс]
Минск :
БГТУ ,
2023 .-
RU/IS/BASE/733927329, Инновационные материалы и технологии - 2023, Минск : БГТУ, 2023, С. 51-52
