Поиск

Исследования особенностей наноразмерных гетероструктур GaN и AlGaN, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках с использованием буферного слоя пористого кремния

Авторы: Золотухин, Д. С. Леньшин, А. С. Середин, П. В. Мизеров, А. М.
Местонахождение Подробная информация
Индекс УДК 537.226
Исследования особенностей наноразмерных гетероструктур GaN и AlGaN, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках с использованием буферного слоя пористого кремния
Электронный ресурс
Место издания Минск
Издательство БГТУ
Дата издания 2023
Ключевые слова плазменно-активированная молекулярно-пучковая эпитаксия
Другие авторы Леньшин, А. С.
RU/IS/BASE/733927329
Инновационные материалы и технологии - 2023
Минск : БГТУ, 2023
С. 51-52