| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695474021 |
| Дата корректировки | 11:19:11 14 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.02.47113.8906 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Виглин, Н. А. | |
|
Очистка от оксидов поверхности пластин полупроводника InSb для создания латеральных спиновых клапанов Электронный ресурс |
|
| Creating oxide-free InSb surface for producing lateral spin valves | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Изучались условия создания гладкой и освобожденной от оксидов поверхности полупроводника InSb с целью создания на его основе латеральных спиновых устройств. Исследовалась скорость сухого травления ионами Ar поверхности слоев кристаллических граней (100) пластин полупроводника InSb, а также изменение их шероховатости в зависимости от мощности подводимой к усройствам ионного травления. Оценивалась степень окисления поверхности полупроводника, экспонированного на воздухе после ионной чистки и отжига в молекулярном водороде. На основе сравнения эффективности спиновой инжекции в устройствах, созданных с полупроводниками, подвергшимися различной обработке, сделан вывод о параметрах оптимальной подготовки поверхности пластин InSb для изготовления латеральных спиновых устройств. |
| Ключевые слова | полупроводники |
|
латеральные спиновые клапаны ионное травление антимонид индия монокристаллические пленки |
|
|
Грибов, И. В. Цвелиховская, В. М. Патраков, Е. И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 2. - С. 277-280 |
|
| Имя макрообъекта | Виглин_очистка |
| Тип документа | b |
