| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/680623470 |
| Дата корректировки | 14:09:06 26 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.07.44628.14 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Грабов, В. М. | |
|
Структура пленок висмута, полученных с применением предварительно сформированного на подложке ансамбля одинаково ориентированных монокристаллических островков висмута Электронный ресурс |
|
| The structure of the bismuth films obtained by using the previously formed the system of identically oriented monocrystal bismuth islands | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 7 назв. |
| Аннотация | Для улучшения структуры тонких пленок висмута, получаемых методом термического испарения в вакууме, апробировано использование в качестве подложки ансамбля одинаково ориентированных монокристаллических островков висмута, сформированных на пластинах слюды. Ансамбль островков формировался путем химического травления монокристаллической пленки висмута толщиной 1 мкм, полученной зонной перекристаллизацией под покрытием. Методами рентгеноструктурного анализа, атомно-силовой микроскопии и методом дифракции отраженных электронов в сканирующем электронном микроскопе исследована структура полученных пленок. |
| Ключевые слова | висмут |
|
пленки висмута монокристаллические островки термическое испарение химическое травление полупроводники |
|
|
Демидов, Е. В. Иванова, Е. К. Каблукова, Н. С. Крушельницкий, А. Н. Сенкевич, С. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 7. - С. 867-869 |
|
| Имя макрообъекта | Грабов_структура |
| Тип документа | b |
