| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671639365 |
| Дата корректировки | 12:02:37 26 апреля 2025 г. |
| Служба первич. каталог. | BY-HM0026 |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Бабичев, А. В. |
|
Оптические свойства фотодетекторов на основе одиночных GaN-вискеров с графеновым прозрачным контактом Электронный ресурс |
|
| Optical properties of photodetectors based on GaN nanowires with a single graphene transparent contact | |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | В работе представлены результаты по формированию и характеризации оптических свойств p-n-фото- детекторов ультрафиолетовой области спектра на основе одиночных нитевидных кристаллов (вискеров) с новым контактом на основе CVD-графена. Активная область нитридных вискеров содержит набор из 30 радиальных квантовых ям состава In[0.18]Ga[0.82]N. Структура выращена методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Формирование фотодетекторов осуществлялось с помощью электронной литографии с интерферометрическим столом. Вольт-амперные характеристики представляют собой выпрямляющий тип зависимости. Спектральная чувствительность фотодетектора отчетливо регистрируется начиная с 3 эВ. Максимальный фотоотклик соответствует длине волны 367 нм (чувствительность составляет 1.9 мA/Вт). Отклик фотодетектора наблюдается на временах < 0.1 с. |
| Ключевые слова | фотодетекторы |
|
одиночные нитевидные кристаллы вискеры металлоорганическая газофазная эпитаксия нитрид галлия светодиоды |
|
| Другие авторы | Zhang, H. |
|
Guan, N. Егоров, А. Ю. Julien, F. H. Messanvi, A. Durando, C. Eymeryo, J. Tchernycheva, M. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 8. - С. 1118-1122 |
|
| Имя макрообъекта | Бабичев_оптические |
| Тип документа | b |
