| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Бабичев, А. В. |
|
Оптические свойства фотодетекторов на основе одиночных GaN-вискеров с графеновым прозрачным контактом Электронный ресурс |
|
| Аннотация | В работе представлены результаты по формированию и характеризации оптических свойств p-n-фото- детекторов ультрафиолетовой области спектра на основе одиночных нитевидных кристаллов (вискеров) с новым контактом на основе CVD-графена. Активная область нитридных вискеров содержит набор из 30 радиальных квантовых ям состава In[0.18]Ga[0.82]N. Структура выращена методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Формирование фотодетекторов осуществлялось с помощью электронной литографии с интерферометрическим столом. Вольт-амперные характеристики представляют собой выпрямляющий тип зависимости. Спектральная чувствительность фотодетектора отчетливо регистрируется начиная с 3 эВ. Максимальный фотоотклик соответствует длине волны 367 нм (чувствительность составляет 1.9 мA/Вт). Отклик фотодетектора наблюдается на временах < 0.1 с. |
| Ключевые слова | фотодетекторы |
| Другие авторы | Zhang, H. |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 8. - С. 1118-1122 |
|
| Имя макрообъекта | Бабичев_оптические |
