| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | zhps19_to86_no2_ss262_ad1 |
| Дата корректировки | 14:51:44 31 июля 2019 г. |
| Кодируемые данные | 190711s2019||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-zhps19_to86_no2_ss262_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Научная библиотека им. М. М. Бахтина Мордовского госуниверситета им. Н. П. Огарева МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
eng eng |
| Индекс УДК |
535.33 533.9 |
| Индекс ББК |
22.344 22.333 |
|
Таблицы для массовых библиотек Таблицы для массовых библиотек |
|
|
Liang, Y. 070 |
|
|
Investigation of the optical properties of InSb thin films grown on GaAs BY temperature-dependent spectroscopic ellipsometry [Текст] Y. Liang [et al.] |
|
| Другая форма заглавия | Исследование оптических свойств тонких пленок InSb, выращенных на подложках GaAs, методом температурно-зависимой спектроскопической эллипсометрии |
| Библиография | Библиогр.: с. 269 (29 назв. ) |
| Аннотация | Тонкие пленки InSb выращены на подложках GaAs методом химического осаждения из газовой фазы путем термического разложения и исследованы с помощью температурно-зависимой спектроскопической эллипсометрии (TD-SE). Найдены показатель преломления, коэффициент экстинкции и диэлектрическая проницаемость пленок InSb. Изменение энергий критических точек (E1, Ej1 + A1, Е2, E1'), связанное с переходами InSb в возбужденном состоянии, и вторых производных диэлектрической функции по энергии при разных температурах показывает, что тонкая пленка InSb обладает высокой стабильностью электрических и оптических свойств в исследуемом температурном диапазоне. Анализ TD-SE позволил установить область температур для использования устройств на основе InSb/GaAs. Выше 250° C InSb интенсивно окисляется, образуя тонкий слой In-O, вызывающий значительное изменение оптических констант. Показано, что оптимизированные тонкие пленки InSb, выращенные на подлоокжах GaAs, обладают хорошими оптическими и структурными свойствами. |
|
Физика AR-MARS Спектроскопия AR-MARS Электронные и ионные явления. Физика плазмы AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
диэлектрическая проницаемость оптические свойства тонких пленок показатель преломления спектроскопическая эллипсометрия тонкая пленка InSb экстинкция |
|
Wang, F. 070 Luo, X. 070 Li, Q. 070 Lin, T. 070 Ferguson, I. T. 070 Yang, Q. 070 Wan, L. 070 Feng, Z. C. 070 |
|
| ISSN | 0514-7506 |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 86, № 2. - С. 262-269 |
|
RU 43013090 20190711 RCR |
|
|
RU 43013090 20190711 |
|
|
RU AR-MARS 20190711 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20190711 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
zhps 2019 86 2 262 1 |
|
| 718 |
