| Индекс УДК |
535.33 533.9 |
|
Investigation of the optical properties of InSb thin films grown on GaAs BY temperature-dependent spectroscopic ellipsometry [Текст] Y. Liang [et al.] |
|
| Аннотация | Тонкие пленки InSb выращены на подложках GaAs методом химического осаждения из газовой фазы путем термического разложения и исследованы с помощью температурно-зависимой спектроскопической эллипсометрии (TD-SE). Найдены показатель преломления, коэффициент экстинкции и диэлектрическая проницаемость пленок InSb. Изменение энергий критических точек (E1, Ej1 + A1, Е2, E1'), связанное с переходами InSb в возбужденном состоянии, и вторых производных диэлектрической функции по энергии при разных температурах показывает, что тонкая пленка InSb обладает высокой стабильностью электрических и оптических свойств в исследуемом температурном диапазоне. Анализ TD-SE позволил установить область температур для использования устройств на основе InSb/GaAs. Выше 250° C InSb интенсивно окисляется, образуя тонкий слой In-O, вызывающий значительное изменение оптических констант. Показано, что оптимизированные тонкие пленки InSb, выращенные на подлоокжах GaAs, обладают хорошими оптическими и структурными свойствами. |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 86, № 2. - С. 262-269 |
