Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si
Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Романычев, А. И.
Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 7. - С. 1398-1402 .-
Кукушкин_эпитаксиальный
