| Индекс УДК | 539.21 |
|
Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si Электронный ресурс |
|
| Другие авторы | Осипов, А. В. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 7. - С. 1398-1402 |
| Имя макрообъекта | Кукушкин_эпитаксиальный |
