| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/761225128 |
| Дата корректировки | 9:34:39 26 апреля 2025 г. |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Служба первич. каталог. | BY-HM0026 |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.794.4 |
| Богомазова, Наталья Валентиновна | |
|
Особенности пленок полупроводников А{II}В{VI}, полученных методом химического осаждения или наслаивания Электронный ресурс |
|
| Место издания | Минск |
| Издательство | БГТУ |
| Дата издания оригинала | 2023 |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 4 назв. |
| Служебное примечание | Bogomazova, N. V. |
|
Sidorov, V. D. Golubeva, A. A. Zharskii, I. M. |
|
| Ключевые слова | пленки полупроводников |
|
субмикронные пленки покрытия CdS перспективные материалы пленки широкозонных полупроводников халькогенид CdS халькогенид ZnS оксид ZnO оксид TiO2 оксид SnO2 |
|
|
Сидоров, Владимир Дмитриевич Голубева, А. А. Жарский, Иван Михайлович |
|
| Организация/ юрисдикция | Белорусский государственный технологический университет |
| Другие уровни | Кафедра химии, технологии электрохимических производств и материалов электронной техники |
| Санкт-Петербурский государственный университет | |
|
Технологическая независимость и конкурентоспособность Союзного государства, стран СНГ, ЕАЭС и ШОС Минск : БГТУ, 2023 Т. 2. - С. 42-47 RU/IS/BASE/755604399 978-985-897-155-7 (т. 2) |
|
| Тип документа | b |
