-
Измерение параметров электронного переноса в полупроводниках с помощью эффекта Фарадея в миллиметровом диапазоне
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Измерение параметров электронного переноса в полупроводниках с помощью эффекта Фарадея в миллиметровом диапазоне, [Текст]
Минск :
БГТУ ,
2016 .-
ил., табл.
Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2016, С. 101-105, RU/IS/BASE/532010438, [ко всему сборнику] Издается с июля 1993 года, 1683-0377
-
Применение эффектов магнитоплазменного отражения и магнитного вращения для определения электронных характеристик полупроводников
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Применение эффектов магнитоплазменного отражения и магнитного вращения для определения электронных характеристик полупроводников, [Текст]
Минск :
БГТУ ,
2022 .-
ил.
Труды БГТУ. Сер. 3, Физико-математические науки и информатика, 2022, № 2 (260). - С. 65-69, RU/IS/BASE/718532206, [ко всему сборнику] Издается с июля 1993 года, 2520-6141
-
Применение эффектов вращения плоскости поляризации и магнитоплазменного отражения для определения параметров электронного переноса в полупроводниках
Мадьяров, Владимир Рафкатович
Применение эффектов вращения плоскости поляризации и магнитоплазменного отражения для определения параметров электронного переноса в полупроводниках, [Текст]
Минск :
БГТУ ,
2018 .-
ил.
Труды БГТУ. Сер. 3, Физико-математические науки и информатика, 2018, № 2 (212). - С. 52-56, RU/IS/BASE/593693918, [ко всему сборнику] Издается с июля 1993 года, 2520-6141