| Маркер записи | n 22 7 4500 |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/247313066 |
| Дата корректировки | 15:43:57 22 мая 2014 г. |
| 536.758:539.311 | |
|
6233н.о. 6233н.о. |
|
|
001 2 44-07 |
|
|
Разработка статистической модели деформирования и структурно-фазовых переходов в тонких пленках по теме: Характеристики кристаллической структуры и физических свойств многокомпонентных оксидных не содержащих свинца сегнетоэлектриков и халькогенидных полупроводников переменного состава; разработка статистической теории упругости и фазовых переходов в кристаллических и аморфных системах Текст отчет о НИР (промежуточ.) БГТУ ; руководитель И. И. Наркевич. - ГР20062486 |
|
|
Минск 2006 |
|
| 36 с | |
|
статистическая модель деформирования структурно-фазовые переходы тонкие пленки |
|
|
кристаллическая структура многокомпонентные оксидные сегнетоэлектрики халькогенидные полупроводники кристаллические системы аморфные системымолекулярный кристалл |
|
| Тип документа | m |
|
263 1 |
