| Маркер записи | n 22 7 4500 |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/454418494 |
| Дата корректировки | 11:21:34 26 мая 2014 г. |
| 546.65:541.457 | |
|
5657н.о. 5657н.о. |
|
|
001 2 48-04 |
|
|
Провести исследование физико-химических свойств тонких слоев полупроводникового сегнетоэлектрика на основе титаната бария BaTiO ,полученного путем твердофазного взаимодействия прекурсора Ba TiO с TiO Отчет о НИР (зключч.) БГТУ;Руководитель Башкиров Л.А.-ГР20021535 |
|
|
Минск 2003 |
|
| 52с | |
|
полупроводниковый сегнетоэлектрик татанат бария тонкие слои |
|
| 269 |
