| Индекс УДК | 535.33 |
|
Структурные, оптические и фотоэлектрические свойства кремния, имплантированного ионами индия и сурьмы и подвергнутого импульсному отжигу Р. И. Баталов, В. В. Базаров, В. И. Нуждин [и др.] |
|
| Аннотация | Для синтеза в приповерхностной области монокристалла кремния слоя узкозонного антимонида индия (InSb) проведена последовательная высокодозная имплантация кремния ионами In{+} и Sb{+} с энергией 30 кэВ и дозой 2 * 10{16} см{-2}. Отжиг имплантированных слоев Si: (In+Sb) в жидкофазном режиме проведен мощным импульсным (-100 нс) ионным пучком (C+/H+) с энергией 300 кэВ и плотностью энергии импульса 1. 0 Дж/см{2}. Расчет суммарного глубинного профиля концентрации имплантированных атомов In и Sb с учетом распыления показал их максимальную концентрацию 40 ат. % на глубине -20 нм. Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов He {+}обнаружена сегрегация примесных атомов к поверхности Si в результате импульсного отжига. Спектры рентгеновской дифракции в скользящих лучах и комбинационного рассеяния света указывают на формирование фазы InSb с уровнем деформации растяжения 0. 6-0. 7 %. С помощью оптических ИК-спектров оценена концентрация электронов в слое 2 * 10{20} см{-3} за счет донорной примеси Sb и показано образование интенсивной полосы поглощения при 3. 85 мкм. Измерения фотоотклика на диодной меза-структуре при 300 К показали сдвиг края фоточувствительности до 1240 нм по сравнению с типовым Si-фотодиодом ФД-24. |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2024 |
| Прочая информация | Т. 91, № 6. - С. 804-812 |
