| Индекс УДК | 539.1 |
|
Влияние термического отжига на гамма-индуцированные центры окраски и активаторное свечение в сцинтилляторных кристаллах Lu[2]SiO[5]:Ce А. Х. Исламов, Э. М. Ибрагимова, Х. К. Кудратов, Д. С. Расулкулова |
|
| Объем | 1 файл (387 Кб) |
| Примечание | Загл. с титул. экрана |
| Аннотация | Оксиортосиликат лютеция, легированный церием Lu[2]SiO[5]: Ce, используется как сцинтиллятор для регистрации ядерных излучений. Однако после гамма облучения (60Co) высокой дозой 5*10{6} Gy при 310 K выход гаммалюминесценции (ГЛ) снижается на 25%. Для выяснения причин и механизма этого снижения в данной работе исследованы изохронный термический отжиг наведенных оптических центров окраски и восстановление активаторного свечения в интервале температур от 373 до 773 K в воздухе. Показано, что после облучения наряду с полосами 238 (F-центр), 263 (Се{3+}/Се{4) и 293 nm (Се{3+}/F{+}) также регистрируется полоса поглощения 430 nm, которая предположительно связана с дефектным Ce{4+}+V[O] - центром и ответственна за желтую окраску и снижение ГЛ в полосах 399 и (Сe1-центр) и 450 nm (Ce2-центр). При температурах > 573 K F-центры и Се{4+}+V[O] 420 nm комплексы отжигаются и ГЛ восстанавливается до исходного уровня, что связано с миграцией междоузельного кислорода к его вакансиии залечиванием радиационных дефектов. |
| Название источника | Оптика и спектроскопия |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Т. 131, № 8. - С. 1052-1057 |
|
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=55179349 |
