| Индекс УДК |
546 544 |
|
Степень компенсации акцептеров в легированном бором НРНТ алмазе в разных секторах роста Д. Д. Приходько, В. О. Тимошенко, С. А. Тарелкин [и др.] |
|
| Аннотация | Статья посвящена проблеме алмазной электроники - развитию методов роста легированного алмаза для достижения оптимальных характеристик материала. Известно, что основной особенностью НРНТ алмаза является присутствие ростовых секторов в кристалле. Целью работы явилось исследование температурных зависимостей электропроводности и эффекта Холла среднелегированного бором алмаза в разных секторах роста кристалла. |
| Название источника | Известия вузов. Химия и химическая технология |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Т. 66, вып. 10. - С. 38-43 |
