Маркер записи | n 22 3 4500 |
Контрольный номер | zhps23_to90_no2_ss191_ad1 |
Дата корректировки | 11:27:25 30 октября 2023 г. |
Кодируемые данные | 231027s2023||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
Системный контрольный номер | RUMARS-zhps23_to90_no2_ss191_ad1 |
AR-MARS | |
Служба первич. каталог. |
Научная библиотека им. М. М. Бахтина Мордовского госуниверситета им. Н. П. Огарева МАРС |
Код языка каталог. | rus |
Код языка издания |
rus rus |
Индекс УДК |
535.33 537.311.33 |
Индекс ББК |
22.344 22.379 |
Таблицы для массовых библиотек Таблицы для массовых библиотек |
|
Зенькевич, Э. И. 070 |
|
Наноансамбли на основе полупроводниковых квантовых точек и молекул порфиринов: структура, экситон-фононные взаимодействия и релаксационные процессы Э. И. Зенькевич, С. В. Гапоненко, К. Фон Борцисковски |
|
Текст | |
непосредственный | |
Библиография | Библиогр.: с. 201 (55 назв. ) |
Аннотация | На основе современных моделей экситон-фононных взаимодействий выполнен анализ экспериментальных температурных зависимостей (77-293 К) спектров поглощения и фотолюминесценции полупроводниковых квантовых точек CdSe/ZnS (КТ). Обосновано, что формирование полосы поглощения первого экситонного перехода происходит с участием преимущественно оптических фононов ядра CdSe, тогда как свойства фотолюминесценции отражают взаимодействие с оптическими фононами слоя ZnS. В рамках квантово-механической модели проведен анализ тушения фотолюминесценции КТ CdSe/ZnS различных диаметров при формировании наноансамблей с молекулами порфиринов. Показано, что вероятность тушения убывает с возрастанием диаметра КТ, а сам процесс тушения в условиях квантового ограничения обусловлен туннелированием электрона возбужденной электронно-дырочной пары на поверхность КТ с последующей локализацией на поверхностных ловушках. |
Физика AR-MARS Спектроскопия AR-MARS Физика полупроводников и диэлектриков AR-MARS |
|
Ключевые слова |
молекулы порфиринов перенос энергии полупроводниковые квантовые точки CdSe/ZnS полупроводниковые квантовые точки порфиринов порфирин температурные зависимости поглощения и фотолюминесценции туннелирование электрона тушение фотолюминесценции фазовая перестройка стабилизирующего слоя лиганда фотолюминесценция полупроводниковых квантовых точек экситон-фононное взаимодействие |
Гапоненко, С. В. 070 Борцисковски, К. фон 070 |
|
ISSN | 0514-7506 |
Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
Место и дата издания | 2023 |
Прочая информация | Т. 90, № 2. - С. 191-201 |
RU 43013090 20231027 RCR |
|
RU 43013090 20231027 |
|
RU AR-MARS 20231027 RCR |
|
RU AR-MARS 20231027 |
|
Тип документа | b |
code year to no ss ad |
|
zhps 2023 90 2 191 1 |
|
718 | |
Молекулярная спектроскопия |