| Индекс УДК | 666.266.3 |
|
Фрагментарная модель атомной структуры ионопроводящего полупроводникового стекла AgGeAsSe[3] К. Б. Алейникова, Е. Н. Зинченко, Н. В. Мельникова |
|
| Аннотация | Функция радиального распределения атомов стеклообразного AgGeAsSe[3], полученная на основе экспериментальных кривых интенсивности, снятых на монохроматизированных медном и молибденовом излучениях, интерпретирована с помощью фрагментарной модели во всей области упорядочения (~9 A). Показано, что стекло состоит из селеновых и селено-мышьяковистых тетраэдров с атомами германия и серебра внутри. Пространственное расположение таких тетраэдров в стекле в пределах области упорядочения подобно их расположению в структурах GeAsSe и GeSe[2]. Сделано предположение, что “ажурное" строение фрагментов этих структур обеспечивает возможность перемещения ионов Ag+ (ионную проводимость) в стеклообразном AgGeAsSe[3]. Фрагменты структуры ионопроводящего соединения Ag[2]Se в исследуемом стекле не обнаружены. |
| Название источника | Физика и химия стекла |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Т. 49, № 5. - С. 499-511 |
