| Индекс УДК | 546 |
|
On the comparison of reactive-ion etching mechanisms for SiO[2] in Fluorine- and chlorine-containing plasmas A. M. Efremov, S. A. Smirnov, V. B. Betelin, Kwang-Ho Kwon |
|
| Аннотация | Исследовано влияние соотношения компонентов, вкладываемой мощности и давления газа на электрофизические параметры плазмы, стационарные концентрации активных частиц и кинетику реактивно-ионного травления SiO[2] в смесях CF[4] + Ar и Cl[2] + Ar. Установлено, что доминирующим механизмом травления в обеих смесях является гетерогенная химическая реакция, скорость которой коррелирует с изменением плотности потока атомов фтора или хлора. |
| Название источника | Известия вузов. Химия и химическая технология |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Т. 66, вып. 8. - С. 54-62 |
