Индекс УДК | 539.21:535 |
Определение концентрации электронов проводимости в монокриcталлических образцах n-GaSb по спектрам отражения в дальней инфракрасной области при T = 295 K А. Г. Белов, Е. В. Молодцова, С. С. Кормилицина [и др.] |
|
Объем | 1 файл (210 Кб) |
Примечание | Загл. с титул. экрана |
Аннотация | Предложен метод раздельного определения концентраций "легких" и "тяжелых" электронов в n-GaSb при T=295 K на основе анализа спектров отражения в дальней инфракрасной области с учетом плазмон-фононного взаимодействия. Построены расчетные градуировочные зависимости, позволяющие определять концентрации "легких" и "тяжелых" электронов по значению характеристического волнового числа, отвечающего частоте высокочастотной смешанной плазмон-фононной моды. Проведены измерения спектров отражения серии образцов n-GaSb с различной проводимостью при комнатной температуре и определены концентрации "легких" и "тяжелых" электронов. На тех же образцах выполнены электрофизические измерения по методу Ван дер Пау при комнатной температуре. Путем сопоставления оптических и холловских данных определены значения отношения подвижностей "легких" и "тяжелых" электронов (параметр b). Такой способ определения значения параметра b использован впервые. |
Название источника | Оптика и спектроскопия |
Место и дата издания | 2023 |
Прочая информация | Т. 131, № 7. - С. 919-925 |
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54500824 |