Поиск

Определение концентрации электронов проводимости в монокриcталлических образцах n-GaSb по спектрам отражения в дальней инфракрасной области при T = 295 K

Авторы: Белов, А. Г. Молодцова, Е. В. Кормилицина, С. С. Козлов, Р. Ю. Журавлев, Е. О. Климин, С. А. Новикова, Н. Н. Яковлев, В. А.
Подробная информация
Индекс УДК 539.21:535
Определение концентрации электронов проводимости в монокриcталлических образцах n-GaSb по спектрам отражения в дальней инфракрасной области при T = 295 K
А. Г. Белов, Е. В. Молодцова, С. С. Кормилицина [и др.]
Объем 1 файл (210 Кб)
Примечание Загл. с титул. экрана
Аннотация Предложен метод раздельного определения концентраций "легких" и "тяжелых" электронов в n-GaSb при T=295 K на основе анализа спектров отражения в дальней инфракрасной области с учетом плазмон-фононного взаимодействия. Построены расчетные градуировочные зависимости, позволяющие определять концентрации "легких" и "тяжелых" электронов по значению характеристического волнового числа, отвечающего частоте высокочастотной смешанной плазмон-фононной моды. Проведены измерения спектров отражения серии образцов n-GaSb с различной проводимостью при комнатной температуре и определены концентрации "легких" и "тяжелых" электронов. На тех же образцах выполнены электрофизические измерения по методу Ван дер Пау при комнатной температуре. Путем сопоставления оптических и холловских данных определены значения отношения подвижностей "легких" и "тяжелых" электронов (параметр b). Такой способ определения значения параметра b использован впервые.
Название источника Оптика и спектроскопия
Место и дата издания 2023
Прочая информация Т. 131, № 7. - С. 919-925
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54500824