Маркер записи | n 22 3 4500 |
Контрольный номер | opsp23_to131_no7_ss965_ad1 |
Дата корректировки | 11:25:00 30 октября 2023 г. |
Кодируемые данные | 230929s2023||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
10. 21883/OS. 2023. 07. 56132. 4865-23 DOI |
|
Системный контрольный номер | RUMARS-opsp23_to131_no7_ss965_ad1 |
AR-MARS | |
Служба первич. каталог. |
Фундаментальная библиотека Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого МАРС |
Код языка каталог. | rus |
Код языка издания |
rus rus |
Индекс УДК |
535.2/3 537.311.33 |
Индекс ББК |
22.343 22.379 |
Таблицы для массовых библиотек Таблицы для массовых библиотек |
|
Кузнецова, И. А. Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова 070 |
|
Взаимодействие электромагнитной Н-волны с наноструктурой "диэлектрик-полупроводник-диэлектрик" с учетом анизотропии зонной структуры полупроводника И. А. Кузнецова, О. В. Савенко |
|
Объем | 1 файл (429 Кб) |
Текст | |
электронный | |
Примечание | Загл. с титул. экрана |
Библиография | Библиогр.: с. 971-972 (21 назв.) |
Аннотация | Решена задача о взаимодействии электромагнитной Н-волны со слоистой наноструктурой "диэлектрик-полупроводник-диэлектрик". Толщина полупроводникового слоя может быть сравнима или меньше длины волны де Бройля носителя заряда. Поверхностное рассеяние носителей заряда учитывается через граничные условия Соффера. Предполагается, что частота электромагнитной волны меньше частоты плазменного резонанса. В рассматриваемом случае поверхность постоянной энергии представляет собой эллипсоид вращения. Получены аналитические выражения для коэффициентов отражения, пропускания и поглощения. Выполнены расчеты для предельных случаев вырожденного и невырожденного электронного газа. Проведен анализ зависимостей оптических коэффициентов от безразмерных параметров: толщины полупроводникового слоя, частоты и угла падения электромагнитной волны, химического потенциала, параметра эллиптичности, диэлектрических проницаемостей изолирующих слоев и параметров шероховатости границ раздела "полупроводник-диэлектрик". |
Примеч. о целев. назн. | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
Физика AR-MARS Физическая оптика AR-MARS Физика полупроводников и диэлектриков AR-MARS |
|
Ключевые слова |
электромагнитные Н-волны наноструктуры диэлектрики полупроводники структура полупроводников зонная структура полупроводников анизотропия полупроводников |
Савенко, О. В. Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова 070 |
|
ISSN | 0030-4034 |
Название источника | Оптика и спектроскопия |
Место и дата издания | 2023 |
Прочая информация | Т. 131, № 7. - С. 965-972 |
RU 19013582 20230929 RCR |
|
RU 19013582 20230929 |
|
RU AR-MARS 20231003 RCR |
|
RU AR-MARS 20231003 |
|
https://elibrary.ru/item.asp?id=54500830 |
|
Тип документа | b |
code year to no ss ad |
|
opsp 2023 131 7 965 1 |
|
13761 | |
Оптика низкоразмерных структур, мезоструктур и метаматериалов | |
drc cu | |
uabc | |
html |