Поиск

Взаимодействие электромагнитной Н-волны с наноструктурой "диэлектрик-полупроводник-диэлектрик" с учетом анизотропии зонной структуры полупроводника

Авторы: Кузнецова, И. А. Савенко, О. В.
Краткая информация
Маркер записи n 22 3 4500
Контрольный номер opsp23_to131_no7_ss965_ad1
Дата корректировки 11:25:00 30 октября 2023 г.
Кодируемые данные 230929s2023||||RU|||||||||||#||||# rus0|
10. 21883/OS. 2023. 07. 56132. 4865-23
DOI
Системный контрольный номер RUMARS-opsp23_to131_no7_ss965_ad1
AR-MARS
Служба первич. каталог. Фундаментальная библиотека Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого
МАРС
Код языка каталог. rus
Код языка издания rus
rus
Индекс УДК 535.2/3
537.311.33
Индекс ББК 22.343
22.379
Таблицы для массовых библиотек
Таблицы для массовых библиотек
Кузнецова, И. А.
Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова
070
Взаимодействие электромагнитной Н-волны с наноструктурой "диэлектрик-полупроводник-диэлектрик" с учетом анизотропии зонной структуры полупроводника
И. А. Кузнецова, О. В. Савенко
Объем 1 файл (429 Кб)
Текст
электронный
Примечание Загл. с титул. экрана
Библиография Библиогр.: с. 971-972 (21 назв.)
Аннотация Решена задача о взаимодействии электромагнитной Н-волны со слоистой наноструктурой "диэлектрик-полупроводник-диэлектрик". Толщина полупроводникового слоя может быть сравнима или меньше длины волны де Бройля носителя заряда. Поверхностное рассеяние носителей заряда учитывается через граничные условия Соффера. Предполагается, что частота электромагнитной волны меньше частоты плазменного резонанса. В рассматриваемом случае поверхность постоянной энергии представляет собой эллипсоид вращения. Получены аналитические выражения для коэффициентов отражения, пропускания и поглощения. Выполнены расчеты для предельных случаев вырожденного и невырожденного электронного газа. Проведен анализ зависимостей оптических коэффициентов от безразмерных параметров: толщины полупроводникового слоя, частоты и угла падения электромагнитной волны, химического потенциала, параметра эллиптичности, диэлектрических проницаемостей изолирующих слоев и параметров шероховатости границ раздела "полупроводник-диэлектрик".
Примеч. о целев. назн. Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Физика
AR-MARS
Физическая оптика
AR-MARS
Физика полупроводников и диэлектриков
AR-MARS
Ключевые слова электромагнитные Н-волны
наноструктуры
диэлектрики
полупроводники
структура полупроводников
зонная структура полупроводников
анизотропия полупроводников
Савенко, О. В.
Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова
070
ISSN 0030-4034
Название источника Оптика и спектроскопия
Место и дата издания 2023
Прочая информация Т. 131, № 7. - С. 965-972
RU
19013582
20230929
RCR
RU
19013582
20230929
RU
AR-MARS
20231003
RCR
RU
AR-MARS
20231003
https://elibrary.ru/item.asp?id=54500830
Тип документа b
code
year
to
no
ss
ad
opsp
2023
131
7
965
1
13761
Оптика низкоразмерных структур, мезоструктур и метаматериалов
drc cu
uabc
html