| Индекс УДК | 681.7 |
|
Датчик малых перемещений на основе одномерного фотонного кристалла с дефектом А. И. Сидоров, М. В. Махаева |
|
| Объем | 1 файл (900 Кб) |
| Примечание | Загл. с титул. экрана |
| Аннотация | Представлены результаты численного моделирования оптических свойств одномерного (1D) фотонного кристалла (ФК) с дефектом на основе слоев Si-SiO[2] в ближнем ИК диапазоне. Оптическая толщина слоев, образующих ФК, составляла lambda/4, 3lambda/4 и 10lambda/4. Дефект был образован воздушным зазором в середине ФК. Изучено влияние толщины дефекта на спектральное положение полосы пропускания дефекта. Показано, что чувствительность к толщине дефекта d лежит в пределах Deltalambda/Delta d=330-1200 nm/mum и 0. 6-0. 85 dB/nm, в зависимости от геометрии датчика и метода измерений. Это делает 1D ФК с дефектом перспективными для использования в датчиках малых перемещений в качестве чувствительного элемента. |
| Название источника | Оптика и спектроскопия |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Т. 131, № 7. - С. 973-977 |
|
https://elibrary.ru/item.asp?id=54500831 |
