| Индекс УДК | 539.2 |
|
Датчик угла поворота на основе одномерного фотонного кристалла с дефектом А. И. Сидоров, А. А. Ефимов |
|
| Объем | 1 файл (1, 02 Мб) |
| Примечание | Загл. с титул. экрана |
| Аннотация | Представлены результаты численного моделирования оптических свойств одномерного (1D) фотонного кристалла с дефектом на основе слоев полупроводник-диэлектрик в ближнем ИК диапазоне. При моделировании использовались слои кремния и диоксида кремния с оптической толщиной 3lambda/4, lambda/4 и 10lambda/4. Изучено влияние угла падения излучения на спектральное положение полосы пропускания дефекта. Показано, что чувствительность к углу поворота лежит в пределах 6-20 nm/deg и 1. 7-5. 5 dB/deg в зависимости от геометрии датчика и метода измерений. Это делает данные фотонные кристаллы перспективными для использования в датчиках угла поворота в качестве чувствительного элемента. |
| Название источника | Оптика и спектроскопия |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Т. 131, № 7. - С. 1026-1030 |
|
https://elibrary.ru/item.asp?id=54500839 |
