Поиск

Влияние легирования диспрозием на микроструктуру и степень текстурирования термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута

Авторы: Япрынцев, М. Н. Иванов, О. Н.
Подробная информация
Индекс УДК 666.29
Влияние легирования диспрозием на микроструктуру и степень текстурирования термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута
М. Н. Япрынцев, О. Н. Иванов
Аннотация Рассмотрено получение и идентификация особенностей микроструктуры и степени текстурирования термоэлектрического материала Bi[2]Te[2, 7]Se[0, 3], легированного диспрозием. Текстурированные соединения Bi[2-x]Dy[x]Te[2, 7]Se[0, 3] cx = 0, 0000; 0, 0010; 0, 0025; 0, 0050; 0, 0100 и 0, 0200 получали с использованием сольвотермального синтеза исходных порошков и их последующего искрового плазменного спекания. Легирование диспрозием приводит к нескольким взаимосвязанным эффектам. Первым эффектом является уменьшение размера частиц исходного порошка с увеличением х. Этот эффект объясняется увеличением степени ионности ковалентнополярных связей Bi (Dy) -Te при увеличении содержания Dy из-за разницы электроотрицательностей Bi и Dy. Второй эффект связан с уменьшением среднего размера зерна в объемных образцах при увеличении x, что определяется соответствующим изменением размера частиц в исходном порошке с различной степенью легирования. Этот эффект также приводит к повышению степени текстурирования в образцах.
Название источника Стекло и керамика
Место и дата издания 2023
Прочая информация № 8. - С. 39-47