Поиск

Природа локального окружения атомов в аморфных и кристаллических пленках Ge[3]Sb[2]Te[6], Ge[2]Sb[2]Te[5], GeSb[2]Te[4] и GeSb[4]Te[7]

Авторы: Бордовский, Г. А. Марченко, А. В. Насрединов, Ф. С. Петрушин, Ю. А. Серегин, П. П.
Подробная информация
Индекс УДК 543.429.3
Природа локального окружения атомов в аморфных и кристаллических пленках Ge[3]Sb[2]Te[6], Ge[2]Sb[2]Te[5], GeSb[2]Te[4] и GeSb[4]Te[7]
Г. А. Бордовский, А. В. Марченко, Ф. С. Насрединов [и др.]
Аннотация Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопах {119}Sn, {121}Sb и {125}Te определено валентное состояние и локальное окружение атомов в аморфных и кристаллических пленках Ge[3]Sb[2]Te[6], Ge[2]Sb[2]Te[5], GeSb[2]Te[4] и GeSb[4]Te[7]. В кристаллических пленках двухвалентный германий находится в октаэдрических позициях ромбоэдрически искаженной решетке типа NaCl, тогда как в аморфных пленках четырехвалентные атомы германия образуют тетраэдрическую систему химических связей. Во всех пленках в ближайшем окружении германия находятся преимущественно атомы теллура. Трехвалентные атомы сурьмы в кристаллических и аморфных пленках занимают два типа октаэдрических позиций, различающихся степенью искажения, а в ближайшем окружении сурьмы находятся атомы теллура. Наконец, во всех пленках локальные структуры атомов теллура соответствуют структурным единицам теллура в соединениях GeTe и Sb[2]Te[3].
Название источника Физика и химия стекла
Место и дата издания 2023
Прочая информация Т. 49, № 1. - С. 60-70