| Индекс УДК | 546.281'261:66.091.3 |
|
Применение распространяющегося низкотемпературного синтеза для получения чистого карбида кремния В. М. Сизяков, В. Ю. Бажин, В. Ю. Пиирайнен [и др.] |
|
| Аннотация | Исследовано получение сверхчистого карбида кремния методом распространяющегося синтеза. Такой синтез обеспечивает снижение длительности процесса и уменьшение энергетических затрат. Установлено, что основной структурный переход обусловлен фазовыми превращениями и явлением полиморфизма в кремнеземе (переход aльфа-SiO[2] в (бета-SiO[2]), что необходимо для получения чистого карбида кремния. Определено, что в заданный интервал времени под воздействием наложенных условий и при последующем взаимодействии с кремниевой кислотой и активным углеродом начинается самопроизвольный переход с образованием сверхчистого карбида кремния. При применении предлагаемой технологии повышается выход карбида кремния до 95-99 % с получением наноразмерного продукта (40-60 нм) чистотой 99, 99 %. |
| Название источника | Новые огнеупоры |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | № 5. - С. 80-85 |
