Индекс УДК | 681.7 |
Датчик температуры на основе одномерного фотонного кристалла с дефектом А. И. Сидоров, Ю. О. Видимина |
|
Объем | 1 файл (480 Кб) |
Примечание | Загл. с титул. экрана |
Аннотация | Представлены результаты численного моделирования оптических свойств одномерного (1D) фотонного кристалла с дефектом на основе слоев полупроводник-диэлектрик. В качестве полупроводника рассматривались кремний и германий. Изучено влияние температуры на спектральное положение полосы пропускания дефекта. Показано, что для фотонного кристалла на основе кремния температурная чувствительность фотонного кристалла составляет 0. 07 nm/K и 2. 6 dB/K в зависимости от метода измерений. Для фотонного кристалла на основе германия - 0. 37 nm/K и 7. 8 dB/K. Это делает данные фотонные кристаллы перспективными для использования в датчиках температуры в качестве чувствительного элемента. |
Название источника | Оптика и спектроскопия |
Место и дата издания | 2022 |
Прочая информация | Т. 130, № 9. - С. 1464-1468 |
https://elibrary.ru/item.asp?id=49705303 |