Поиск

Чисто электронный оптический переход и прямая энергетическая щель полупроводника

Авторы: Толкачёв, В. А.
Краткая информация
Маркер записи n 22 3 4500
Контрольный номер zhps22_to89_no1_ss43_ad1
Дата корректировки 13:00:15 31 октября 2022 г.
Кодируемые данные 220926s2022||||RU|||||||||||#||||# rus0|
Системный контрольный номер RUMARS-zhps22_to89_no1_ss43_ad1
AR-MARS
Служба первич. каталог. Научная библиотека им. М. М. Бахтина Мордовского госуниверситета им. Н. П. Огарева
МАРС
Код языка каталог. rus
Код языка издания rus
rus
Индекс УДК 535.33
Индекс ББК 22.344
Таблицы для массовых библиотек
Толкачёв, В. А.
070
Чисто электронный оптический переход и прямая энергетическая щель полупроводника
В. А. Толкачёв
Текст
непосредственный
Библиография Библиогр.: с. 50 (36 назв. )
Аннотация С положительным результатом тестируется возможность применения метода определения частоты чисто электронного перехода по молекулярным диффузным вибронным спектрам к определению ширины прямой запрещенной зоны (энергетической щели) полупроводников. Данным методом из спектра фотопроводимости определяется ширина прямой запрещенной зоны между валентной зоной и зоной фотопроводимости.
Физика
AR-MARS
Спектроскопия
AR-MARS
Ключевые слова валентная зона
запрещенная зона фотопроводимости
однородность полупроводника
полупроводники
фотопроводимость
энергетическая щель полупроводника
ISSN 0514-7506
Название источника Журнал прикладной спектроскопии
Место и дата издания 2022
Прочая информация Т. 89, № 1. - С. 43-50
RU
43013090
20220926
RCR
RU
43013090
20220926
RU
AR-MARS
20220926
RCR
RU
AR-MARS
20220926
Тип документа b
code
year
to
no
ss
ad
zhps
2022
89
1
43
1
718