| Индекс УДК | 541.6 |
|
Микроскопическое описание сегнетоэлектриков типа смещения и их доменной структуры в рамках модели решеточного газа Ю. К. Товбин |
|
| Аннотация | Разработаны основы микроскопического подхода к расчету фазового перехода упорядочения в сегнетоэлектриках типа смещения на простейшем примере двухатомной кристаллической решетки типа АВ. В основу разработки положено существование в сегнетоэлектриках типа смещения двух-ямного потенциала, высота которого сопоставима с величиной тепловой энергии. Вводя систему узлов, связанных с координатами минимумов двух-ямного потенциала, можно построить уравнения на их локальные заполнения, используя стандартную технику дискретной модели решеточного газа (МРГ) для описания перераспределения ионов в кристаллической решетке. |
| Название источника | Физикохимия поверхности и защита материалов |
| Место и дата издания | 2022 |
| Прочая информация | Т. 58, № 3. - С. 227-238 |
