| Индекс УДК | 539.2 |
|
Фотоиндуцированный перенос заряда в слоистых 2D наноструктурах PbSe-MoS[2] И. Д. Скурлов, П. С. Парфёнов, А. В. Соколова [и др.] |
|
| Объем | 1 файл (592 Кб) |
| Примечание | Загл. с титул. экрана |
| Аннотация | Полупроводниковые 2D-наноструктуры являются новой платформой для создания современных оптоэлектронных устройств. Созданы слоистые 2D-наноструктуры PbSe-MoS[2], в которых наблюдается эффективный фотоиндуцированный перенос заряда от нанопластин (НП) PbSe к MoS[2]. При осаждении НП PbSe с короткими органическими лигандами на тонкий слой НП MoS[2] наблюдается уменьшение интенсивности фотолюминесценции НП PbSe и сокращение среднего времени затухания фотолюминесценции. При освещении слоистой 2D-наноструктуры PbSe-MoS[2] ИК излучением появляется фототок, что свидетельствует о вкладе НП PbSe в электрический отклик системы. Ультратонкие слои дихалькогенидов переходных металлов, сенсибилизированные наноструктурами на основе халькогенидов свинца, могут быть использованы в фотодетекторах с расширенной в ближний ИК диапазон областью спектральной чувствительности. |
| Название источника | Оптика и спектроскопия |
| Место и дата издания | 2022 |
| Прочая информация | Т. 130, № 2. - С. 325-331 |
|
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=48007304 |
