| Индекс УДК | 537.3 |
|
Электрические свойства тонких пленок In[2]O[3]/С И. В. Бабкина, М. Н. Волочаев, О. В. Жилова [и др.] |
|
| Аннотация | Исследованы структура и электрические свойства тонких пленок на основе полупроводника In[2]O[3] и углерода, полученных послойным осаждением с применением метода ионно-лучевого распыления. Структура изученных материалов, сформированная в процессе послойного осаждения островковых слоев, представляет собой нанокристаллические гранулы In[2]O[3], хаотически распределенные в аморфном углероде. Электрофизические свойства тонких пленок In[2]O[3]/С зависят от толщины. Для тонких пленок In[2]O[3]/С толщиной h < 70 нм с увеличением температуры в диапазоне 80-300 K наблюдается последовательная смена доминирующего механизма электропереноса: прыжковый механизм с переменной длиной прыжка по локализованным состояниям в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми (от 80 до 120 K), по ближайшим соседям (от 120 до 250 K), по локализованным состояниям в хвосте зоны проводимости (от 250 до 300 K). При h > 70 нм обнаружен переход от проводимости, связанной с сильной локализацией носителей заряда, к проводимости, обусловленной наличием перколляционных кластеров, образованных нанокристаллами In[2]O[3], что проявляется в виде линейной температурной зависимости проводимости с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 56, № 4. - С. 393-401 |
|
https://sciencejournals.ru/list-issues/neorgmat/ https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42650791 |
