| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695902988 |
| Дата корректировки | 10:27:04 19 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.04.47442.8990 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Калыгина, В. М. | |
|
Влияние материала подложки на свойства пленок оксида галлия и структур на его основе Электронный ресурс |
|
| Influence of substrate material on properties of gallium oxide films and structures based on it | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 6 назв. |
| Аннотация | Изучено влияние материала подложки на свойства пленок оксида галлия, полученных на сапфировых и полупроводниковых пластинах n(p)-GaAs методом высокочастотного магнетронного напыления. Пленки, выращенные на диэлектрических подложках, как правило, оказываются высокоомными, n-типа проводимости. Рост проводимости в них с повышением температуры обусловлен ионизацией глубоких донорных центров с энергией (0.98 ± 0.02) эВ ниже дна зоны проводимости. Независимо от типа проводимости полупроводниковых подложек, пленки оксида галлия, выращенные на монокристаллических слоях GaAs, также имеют n-тип проводимости. Однако проводимость таких пленок оказывается существенно выше, что объясняется возможной диффузией неконтролируемых примесей из полупроводника в растущий слой оксида галлия. Электрические характеристики структур Ga[2]O[3] - полупроводник в большей степени определяются свойствами границы раздела оксид-полупроводник, чем свойствами контактирующих материалов. На обратной ветви вольт-амперных характеристик образцов Ga[2]O[3]/p-GaAs до отжига наблюдается участок отрицательного сопротивления N-типа. После отжига пленок оксида галлия при 900°C (30 мин) проводимость структур соответствует вольт-амперной характеристике обращенного диода. |
| Ключевые слова | оксид галлия |
|
пленки оксида галлия сапфировые пластины полупроводниковые пластины диэлектрические подложки полупроводниковые подложки магнетронное напыление |
|
|
Лыгденова, Т. З. Петрова, Ю. С. Черников, Е. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 4. - С. 468-473 |
|
| Имя макрообъекта | Калыгина_влияние |
| Тип документа | b |
