| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695828773 |
| Дата корректировки | 13:53:28 18 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.04.47437.9004 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Баженов, Н. Л. | |
|
Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления Электронный ресурс |
|
| Carrier lifetime in semiconductors with close values of energy gap and spin-orbit splitting energy | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 23 назв. |
| Аннотация | Получены выражения для скорости оже- и излучательной рекомбинации в рамках модели Кейна в материалах с шириной запрещенной зоны, близкой к энергии спин-орбитального расщепления, что имеет место в InAs, твердых растворах InAsSb и т. д. Проведено сравнение наших результатов с упрощенными выражениями для скоростей рекомбинации, часто используемыми в литературе, и показано, что при вычислении скоростей рекомбинации необходимо учитывать непараболичность энергетического спектра носителей заряда. Для примера вычислен температурный ход времени жизни, обусловленного излучательным и безызлучательными процессами рекомбинации, для твердых растворов InAsSb. |
| Ключевые слова | полупроводники |
|
спин-орбитальное отщепление излучательная рекомбинация модель Кейна неравновесные носители заряда |
|
|
Мынбаев, К. Д. Семакова, А. А. Зегря, Г. Г. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 4. - С. 450-455 |
|
| Имя макрообъекта | Баженов_время |
| Тип документа | b |
