| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
О механизме и особенностях полевой эмиссии в полупроводниках Электронный ресурс |
|
| Аннотация | С помощью сканирующего туннельного микроскопа исследована полевая эмиссия электронов из отдельных зерен поверхности кремния и полупроводников A{III}B{V} - арсенида галлия, арсенида и антимонида индия. По соответствию функциональной зависимости вольт-амперной характеристики теории определен механизм эмиссии: при напряжениях V < 1 В - прямое туннелирование через обедненный или обогащенный приповерхностный слой, при V > 1В - туннельная эмиссия из приповерхностных электронных состояний. Получены значения полевого порога эмиссии в пределах (1-5) · 10{6} В/см, что существенно меньше, чем для металлов и углерода. Определяющими факторами эмиссии являются эффекты Шоттки, локализации и размерного квантования "легких" электронов в приповерхностной зоне полупроводников A{III}B{V}, наличие приповерхностного обеднения в кремнии. По полученным данным для величин полевого порога эмиссии наиболее эффективным эмиттером является антимонид индия в виде субмикронных частиц-зерен. |
| Ключевые слова | полевая эмиссия электронов |
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 3. - С. 340-344 |
|
| Имя макрообъекта | Жуков_о механизме |
