| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Лазерный отжиг тонких пленок ITO на гибких органических подложках Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом реактивного магнетронного распыления на пленочных подложках из полиэтилентерефталата при комнатной температуре получены тонкие пленки оксида индия и олова. Минимум удельного сопротивления пленок оксида индия и олова, полученных при комнатной температуре, составил 4.5 · 10{-4} Ом · см. Лазерный отжиг пленок оксида индия и олова толщиной от 140 до 600 нм увеличивает их проводимость от 10 до 24% в зависимости от плотности энергии на пленке и дозы облучения. Установлено, что лазерный отжиг пленок толщиной до 250 нм эффективен при плотности энергии в диапазоне от 12 до 35 мДж/см{2}. Пленки толщиной от 390 до 600 нм необходимо отжигать лазерным излучением с плотностью энергии не менее 46 мДж/см{2}. Рассмотрена модельная задача, учитывающая влияние лучистого охлаждения и теплообмена пленки и подложки на изменение температуры пленки во времени в процессе лазерного отжига. Было использовано одномерное уравнение теплопроводности для двухслойной среды. Рассчитаны максимальные напряжения в пленке оксида индия и олова при различных режимах отжига. |
| Ключевые слова | оксид индия и олова |
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 2. - С. 169-173 |
|
| Имя макрообъекта | Паршина_лазерный |
