| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695724501 |
| Дата корректировки | 8:56:06 17 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.02.47103.8932 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Новицкий, А. П. | |
|
Влияние замещения висмута празеодимом и лантаном на термоэлектрические свойства оксиселенидов BiCuSeO Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследования термоэлектрических свойств объемных образцов оксиселенидов Bi[1-x] Pr[x]CuSeO (x = 0, 0.04, 0.08) и Bi[0.96]La[0.04]CuSeO p-типа проводимости, полученных методом твердофазного синтеза. Измерены температурные зависимости термоэдс, электросопротивления и теплопроводности от комнатной температуры до 800K. Во всем интервале температур наблюдается снижение удельного электросопротивления и термоэдс с увеличением концентрации замещающего элемента, в то время как теплопроводность при замещении висмута редкоземельными элементами практически не изменяется. Несмотря на то что номинальная валентность Bi, La и Pr одинакова, замещение висмута ионами редкоземельных элементов приводит к увеличению концентрации носителей заряда, что может быть вызвано разницей электронных конфигураций ионов, и, как следствие, смещением уровня Ферми в валентную зону. |
| Ключевые слова | оксиселениды |
|
оксихалькогениды твердофазный синтез температурные зависимости замещение ионов висмут |
|
|
Сергиенко, И. А. Новиков, С. В. Кусков, К. В. Лейбо, Д. В. Панкратова, Д. С. Бурков, А. Т. Ховайло, В. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 2. - С. 226-230 |
|
| Имя макрообъекта | Новицкий_влияние |
| Тип документа | b |
