| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695469508 |
| Дата корректировки | 9:59:46 14 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.02.47099.8969 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Блошкин, А. А. | |
|
Плазмонное усиление поля в фотоприемниках среднего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si с различной толщиной активной зоны Электронный ресурс |
|
| Plasmon enhancement of electric field in midinfrared quantum dot Ge/Si photodetectors with different thickness of active region | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | Методом конечных элементов исследовано пространственное распределение электрического поля в фотоприемных гетероструктурах Ge/Si, сопряженных с регулярными золотыми решетками субволновых отверстий на поверхности Si. Период решетки составлял 1.2 мкм, диаметр отверстий 0.7 мкм. Определена эффективность усиления поля в таких гетероструктурах при различной толщине активной области, занятой квантовыми точками. Показано, что в случае падения электромагнитной волны со стороны кремниевой подложки фактор усиления поля в ~ 3.5 раза больше, чем при облучении фотоприемника со стороны воздушной границы. Установлено, что в первом случае коэффициент усиления поля немонотонно меняется с изменением толщины активной области. |
|
плазмонное усиление поля фотоприемные гетероструктуры плазмонные наноструктуры квантовые точки Ge/Si полупроводниковые приборы фотоприемники ИК-диапазон |
|
|
Якимов, А. И. Двуреченский, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 2. - С. 206-210 |
|
| Имя макрообъекта | Блошкин_плазмонное |
| Тип документа | b |
