| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/694179249 |
| Дата корректировки | 11:39:50 30 декабря 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2019.01.46991.8941 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Смирнов, В. А. | |
|
Исследование мемристорного эффекта в нанокристаллических пленках ZnO Электронный ресурс |
|
| Investigation of memristor effect in nanocrystalline ZnO films | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты экспериментальных исследований мемристорного эффекта и влияния режимов отжига на электрофизические свойства нанокристаллических пленок оксида цинка, полученных методом импульсного лазерного осаждения. Показана возможность получения нанокристаллических пленок оксида цинка методом импульсного лазерного осаждения в широком диапазоне электрических (удельное сопротивление от 1.44 · 10{-5} до 8.06 · 10{-1} Ом · см) и морфологических (шероховатость от 0.43 ± 0.32 до 6.36 ± 0.38 нм) параметров, за счет использования послеростового отжига в атмосфере кислорода (давление 10{-1} и10 {-3} Торр, температура 300 и 800 °C, длительность от 1 до 10 ч). Показано, что нанокристаллическая пленка оксида цинка толщиной 58 ± 2 нм проявляет стабильный мемристорный эффект, слабозависящий от ее морфологии - приложение напряжения -2.5 и +4В приводит к переключению между состояниями с сопротивлением 3.3 ± 1.1 · 10{9} и 8.1 ± 3.4 · 10{7} Ом соответственно. Полученные результаты могут быть использованы при разработке конструкций и технологических процессов изготовления элементов резистивной памяти на основе мемристорного эффекта, а также приборов опто-, микро-, наноэлектроники и наносистемной техники. |
| Ключевые слова | нанокристаллические пленки ZnO |
|
оксид цинка импульсное лазерное осаждение мемристорные эффекты тонкие оксидные пленки молекулярно-лучевая эпитаксия магнетронное распыление |
|
|
Томинов, Р. В. Авилов, В. И. Алябьева, Н. И. Вакулов, З. Е. Замбург, Е. Г. Хахулин, Д. А. Агеев, О. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 1. - С. 77-82 |
|
| Имя макрообъекта | Смирнов_исследование |
| Тип документа | b |
