| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/694170977 |
| Дата корректировки | 10:06:47 30 декабря 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2019.01.46988.8814 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Пещерова, С. М. |
| Заглавие | Зависимость объемных электрофизических свойств мультикремния от параметров разориентации зерен |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Dependence of the bulk electrophysical properties of multisilicon on the grain misorientation parameters | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Методами тока, индуцированного электронным или лазерным пучком, исследована рекомбинационная активность внутризеренных дефектов в мультикристаллическом кремнии. Выявлена взаимосвязь ориентации зерен с характером распределения внутризеренных дефектов (дислокаций и примесных включений) и их рекомбинационной активностью. Дефектная структура зерен исследована с использованием различных методик травления для выявления дефектов. Показано, что плотность и распределение дефектов в зернах зависят от их ориентации относительно оси роста. Поэтому именно внутризеренные дефекты и примеси в большей степени, чем границы зерен, ответственны за деградацию времени жизни неравновесных носителей заряда. |
| Ключевые слова | мультикремний |
|
мультикристаллический кремний кремний фотоэлектропреобразователи метод Бриджмена кристаллизация внутризеренные дефекты |
|
| Другие авторы | Якимов, Е. Б. |
|
Непомнящих, А. И. Орлов, В. И. Феклисова, О. В. Павлова, Л. А. Пресняков, Р. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 53, вып. 1. - С. 59-64 |
| Имя макрообъекта | Пещерова_зависимость |
| Тип документа | b |
