| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/694101305 |
| Дата корректировки | 14:00:58 29 декабря 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2019.01.46982.8877 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Грузинцев, А. Н. | |
|
Нерезонансное обращение волнового фронта света на поверхности пленок GaN при большой мощности оптического возбуждения Электронный ресурс |
|
| Nonresonant phase conjugation of light on the GaN thin film surface under large density of optical pumping | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Теоретически и экспериментально показана возможность нерезонансного обращения волнового фронта света в возбужденной полупроводниковой среде. На эпитаксиальных пленках GaN при комнатной температуре при накачке азотным лазером впервые обнаружено индуцированное обращение волнового фронта света в видимой и инфракрасной областях спектра. Исследованы зависимости интенсивности сигнала обращения волнового фронта света от энергии фотона и интенсивности лазерной накачки. Предлагается объяснение эффекта: поглощение и преломление света на индуцированных лазером свободных носителях в полупроводниковой среде. |
| Ключевые слова | волновой фронт света |
|
нерезонансное обращение эпитаксиальные пленки GaN нитрид галлия энергия фотона лазерная накачка оптическое возбуждение |
|
| Редькин, А. Н. | |
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 1. - С. 26-31 |
|
| Имя макрообъекта | Грузинцев_нерезонансное |
| Тип документа | b |
